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IXTQ69N30P
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- 制造商编号：
- IXTQ69N30P
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Polar
- 描述：
- MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 300 V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
- 规格说明书：
- IXTQ69N30P说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Polar |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 69A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 49 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4960 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDA59N30 | onsemi | ¥32.33000 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥98.221736 | ￥98.22 |
| 10+ | ￥88.727842 | ￥887.28 |
| 100+ | ￥73.457822 | ￥7345.78 |
| 500+ | ￥63.965934 | ￥31982.97 |
| 1000+ | ￥56.275082 | ￥56275.08 |
