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RN49A1FE(TE85L,F)
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RN49A1FE(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- -
- 描述：
- PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE
- 详细描述：
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 200MHz，250MHz 100mW 表面贴装型 ES6
- 规格说明书：
- RN49A1FE(TE85L,F)说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 5.6A（Ta），11.7A（Tc） |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz，250MHz |
| 功率 - 最大值 | 100mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 标准包装 | 4,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.628529 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.630602 | ￥3.63 |
| 10+ | ￥2.940539 | ￥29.41 |
| 100+ | ￥1.557429 | ￥155.74 |
| 500+ | ￥1.02475 | ￥512.38 |
| 1000+ | ￥0.696852 | ￥696.85 |
| 2000+ | ￥0.628542 | ￥1257.08 |
| 4000+ | ￥0.628529 | ￥2514.12 |
