IRF7389TR
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IRF7389TR
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V - 2.5W 表面贴装型 8-SO
- 规格说明书:
- IRF7389TR说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 5.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 650pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
标准包装 | 4,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SP8M10FRATB | Rohm Semiconductor | ¥11.90000 | 类似 |
SH8M5TB1 | Rohm Semiconductor | ¥12.98000 | 类似 |
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- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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