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STB100N10F7
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- 制造商编号：
- STB100N10F7
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 80A（Tc） 150W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- STB100N10F7说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4369 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PSMN8R7-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥14.28000 | 类似 |
| PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥23.96000 | 类似 |
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | ¥33.87000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥15.807618 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥29.318358 | ￥29.32 |
| 10+ | ￥26.334301 | ￥263.34 |
| 100+ | ￥21.164299 | ￥2116.43 |
| 500+ | ￥17.388298 | ￥8694.15 |
| 1000+ | ￥15.807618 | ￥15807.62 |
