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SI7726DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7726DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- SkyFET®, TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
- 规格说明书：
- SI7726DN-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | SkyFET®, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1765 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | ¥7.68000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥8.29000 | 类似 |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.096327 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 3000+ | ￥4.096327 | ￥12288.98 |
