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STGW60H65F
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGW60H65F
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 650V 120A 360W TO247
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 360 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书：
- STGW60H65F说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 1.9V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 360 W |
| 开关能量 | 750µJ（开），1.05mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 217 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 65ns/180ns |
| 测试条件 | 400V，60A，10 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥40.611894 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.965303 | ￥57.97 |
| 10+ | ￥48.468543 | ￥484.69 |
| 100+ | ￥40.611894 | ￥4061.19 |
