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STH3N150-2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STH3N150-2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- PowerMESH™
- 描述：
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 1500 V 2.5A（Tc） 140W（Tc） H²PAK
- 规格说明书：
- STH3N150-2说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | PowerMESH™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 939 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型 |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥34.130137 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥56.808981 | ￥56.81 |
| 10+ | ￥51.055968 | ￥510.56 |
| 100+ | ￥41.834114 | ￥4183.41 |
| 500+ | ￥35.612256 | ￥17806.13 |
| 1000+ | ￥34.130137 | ￥34130.14 |
