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BSC160N10NS3GATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSC160N10NS3GATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 8.8A(Ta),42A(Tc) 60W(Tc) PG-TDSON-8-1
规格说明书:
BSC160N10NS3GATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.8A(Ta),42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1700 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 60W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-1
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRFH5210TRPBF Infineon Technologies ¥14.51000 类似

价格库存

库存
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货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.879464 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.56683 ¥15.57
10+ ¥13.950466 ¥139.50
100+ ¥10.873903 ¥1087.39
500+ ¥8.982508 ¥4491.25
1000+ ¥7.879464 ¥7879.46
5000+ ¥7.879464 ¥39397.32

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