在线客服 
APTGT35H120T1G
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- APTGT35H120T1G
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
- 详细描述：
- IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器 1200 V 55 A 208 W 底座安装 SP1
- 规格说明书：
- APTGT35H120T1G说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi(美高森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 全桥反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 55 A |
| 功率 - 最大值 | 208 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 250 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 2.5 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 供应商器件封装 | SP1 |
| 标准包装 | 1 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥0 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 暂无报价 | ||
