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SI3900DV-T1-E3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SI3900DV-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 2A 830mW 表面贴装型 6-TSOP
规格说明书:
SI3900DV-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 830mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.056607 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.634212 ¥7.63
10+ ¥6.722831 ¥67.23
100+ ¥5.155455 ¥515.55
500+ ¥4.075476 ¥2037.74
1000+ ¥3.26038 ¥3260.38
3000+ ¥3.056607 ¥9169.82

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