SI3900DV-T1-E3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI3900DV-T1-E3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 2A 830mW 表面贴装型 6-TSOP
- 规格说明书:
- SI3900DV-T1-E3说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 125 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | 830mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.99874 | ¥7.00 |
10+ | ¥6.163223 | ¥61.63 |
100+ | ¥4.726316 | ¥472.63 |
500+ | ¥3.736233 | ¥1868.12 |
1000+ | ¥2.988986 | ¥2988.99 |
3000+ | ¥2.802175 | ¥8406.52 |