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BSZ086P03NS3EGATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 30 V 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
- 规格说明书：
- BSZ086P03NS3EGATMA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.5A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.1V @ 105µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 57.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4785 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.696159 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.593402 | ￥10.59 |
| 10+ | ￥9.30031 | ￥93.00 |
| 100+ | ￥7.129285 | ￥712.93 |
| 500+ | ￥5.635391 | ￥2817.70 |
| 1000+ | ￥4.696159 | ￥4696.16 |
| 5000+ | ￥4.696159 | ￥23480.79 |
