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STGWA40H65DFB

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制造商编号:
STGWA40H65DFB
制造商:
ST意法半导体
系列:
HB
描述:
IGBT TRENCH 650V 80A TO247
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线
规格说明书:
STGWA40H65DFB说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 HB
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,40A
功率 - 最大值 283 W
开关能量 498µJ(开),363µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值 40ns/142ns
测试条件 400V,40A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 62 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247 长引线
标准包装 600

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
600 / PCS
包装
管件
单价:¥25.355692 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥40.682641 ¥40.68
10+ ¥36.552209 ¥365.52
100+ ¥29.948989 ¥2994.90
500+ ¥25.494811 ¥12747.41
1000+ ¥25.355692 ¥25355.69

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