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    PHU11NQ10T,127

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    制造商编号：
    PHU11NQ10T,127
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
    详细描述：
    通孔 N 通道 100 V 10.9A（Tc） 57.7W（Tc） I-Pak
    规格说明书：
    PHU11NQ10T,127说明书
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 TrenchMOS™
    包装 管件
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 100 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.9A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 180 毫欧 @ 9A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14.7 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 360 pF @ 25 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 57.7W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 通孔
    供应商器件封装 I-Pak
    封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
    标准包装 75

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    IRLU120NPBF Infineon Technologies ¥8.29000 类似
    FQU13N10LTU onsemi ¥6.53000 类似
    STU6NF10 STMicroelectronics ¥7.83000 类似

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    标准包装
    75 / PCS
    包装
    管件
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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