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CSD13303W1015

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制造商编号:
CSD13303W1015
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
详细描述:
表面贴装型 N 通道 12 V 31A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
规格说明书:
CSD13303W1015说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 715 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.65W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-DSBGA(1x1.5)
封装/外壳 6-UFBGA,DSBGA
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
PMCM6501VNEZ Nexperia USA Inc. ¥4.76000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.005199 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.060463 ¥5.06
10+ ¥4.297042 ¥42.97
3000+ ¥2.005199 ¥6015.60

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