IPD60R3K3C6ATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IPD60R3K3C6ATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™ C6
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 600 V 1.7A(Tc) 18.1W(Tc) PG-TO252-3
- 规格说明书:
- IPD60R3K3C6ATMA1说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ C6 |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.3 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 40µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 93 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 18.1W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.583146 | ¥8.58 |
10+ | ¥7.545873 | ¥75.46 |
100+ | ¥5.785587 | ¥578.56 |
500+ | ¥4.573825 | ¥2286.91 |
1000+ | ¥3.811521 | ¥3811.52 |
2500+ | ¥3.811521 | ¥9528.80 |