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STGB30H60DFB

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制造商编号:
STGB30H60DFB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
规格说明书:
STGB30H60DFB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 383µJ(开),293µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 149 nC
25°C 时 Td(开/关)值 37ns/146ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 53 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥18.828777 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥31.320163 ¥31.32
10+ ¥28.168253 ¥281.68
100+ ¥23.07882 ¥2307.88
500+ ¥19.646508 ¥9823.25
1000+ ¥18.828777 ¥18828.78

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