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SCTH40N120G2V7AG

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制造商编号:
SCTH40N120G2V7AG
制造商:
ST意法半导体
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 33A(Tc) 250W(Tc) H2PAK-7
规格说明书:
SCTH40N120G2V7AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 105毫欧 @ 20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1230 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 H2PAK-7
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥175.905734 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥213.409795 ¥213.41
10+ ¥196.81471 ¥1968.15
100+ ¥175.905299 ¥17590.53
1000+ ¥175.905734 ¥175905.73

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