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STL110N10F7
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- 制造商编号：
- STL110N10F7
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 107A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat™（5x6）
- 规格说明书：
- STL110N10F7说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 107A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5117 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥16.05000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥13.90103 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.787224 | ￥25.79 |
| 10+ | ￥23.155037 | ￥231.55 |
| 100+ | ￥18.611065 | ￥1861.11 |
| 500+ | ￥15.291053 | ￥7645.53 |
| 1000+ | ￥13.900967 | ￥13900.97 |
| 3000+ | ￥13.90103 | ￥41703.09 |
