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CSD19536KTTT
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CSD19536KTTT
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
- 规格说明书：
- CSD19536KTTT说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 153 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12000 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DDPAK/TO-263-3 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.07279 | ￥57.07 |
| 10+ | ￥51.218469 | ￥512.18 |
| 50+ | ￥48.422165 | ￥2421.11 |
| 100+ | ￥41.966226 | ￥4196.62 |
| 250+ | ￥39.814033 | ￥9953.51 |
| 500+ | ￥35.725013 | ￥17862.51 |
| 1250+ | ￥34.237998 | ￥42797.50 |
