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MJD31C
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50µA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 功率 - 最大值 | 15 W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PHPT61003NYX | Nexperia USA Inc. | ¥4.22000 | 类似 |
| MJD31T4G | onsemi | ¥4.61000 | 类似 |
| NSV1C301ET4G-VF01 | onsemi | ¥6.37000 | 类似 |
| MJD31C-13 | Diodes Incorporated | ¥3.84000 | 直接 |
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- 管件
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