MJD31C
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3 A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
功率 - 最大值 | 15 W |
频率 - 跃迁 | - |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PHPT61003NYX | Nexperia USA Inc. | ¥4.22000 | 类似 |
MJD31T4G | onsemi | ¥4.61000 | 类似 |
NSV1C301ET4G-VF01 | onsemi | ¥6.37000 | 类似 |
MJD31C-13 | Diodes Incorporated | ¥3.84000 | 直接 |
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- 包装
- 管件
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