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SPD07N60C3T

Infineon photo

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制造商编号:
SPD07N60C3T
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™
描述:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-11
规格说明书:
SPD07N60C3T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 Digi-Key 停止提供
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 790 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STD10NM60N STMicroelectronics ¥22.73000 类似
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥39.24000 类似
AOD7S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥13.44000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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