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STGB30H60DF

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制造商编号:
STGB30H60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 60A 260W D2PAK
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 表面贴装型 D2PAK
规格说明书:
STGB30H60DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 350µJ(开),400µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 105 nC
25°C 时 Td(开/关)值 50ns/160ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 110 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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