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DMN2008LFU-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN2008LFU-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 14.5A 1W 表面贴装型 U-DFN2030-6(B 类)
规格说明书:
DMN2008LFU-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1418pF @ 10V
功率 - 最大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 U-DFN2030-6(B 类)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.950069 ¥5.95
10+ ¥5.217139 ¥52.17
100+ ¥4.000567 ¥400.06
500+ ¥3.162314 ¥1581.16
1000+ ¥2.529839 ¥2529.84
3000+ ¥2.292692 ¥6878.08
6000+ ¥2.156125 ¥12936.75

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