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RF4E080BNTR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RF4E080BNTR
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 8A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
- 规格说明书：
- RF4E080BNTR说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.6 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 660 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | HUML2020L8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerUDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.330325 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.403289 | ￥6.40 |
| 10+ | ￥5.643597 | ￥56.44 |
| 100+ | ￥4.323525 | ￥432.35 |
| 500+ | ￥3.417814 | ￥1708.91 |
| 1000+ | ￥2.734229 | ￥2734.23 |
| 3000+ | ￥2.477911 | ￥7433.73 |
| 6000+ | ￥2.330325 | ￥13981.95 |
