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IPN50R1K4CEATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPN50R1K4CEATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™ CE
描述:
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
详细描述:
表面贴装型 N 通道 500 V 4.8A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223-3
规格说明书:
IPN50R1K4CEATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™ CE
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 900mA,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 178 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223-3
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.633592 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.875764 ¥6.88
10+ ¥5.92957 ¥59.30
100+ ¥4.423989 ¥442.40
500+ ¥3.476376 ¥1738.19
1000+ ¥2.68631 ¥2686.31
3000+ ¥2.633592 ¥7900.78

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