您好,欢迎来到壹方微芯!

DMG5802LFX-7

Diodes photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
DMG5802LFX-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 24V 6.5A 980mW 表面贴装型 W-DFN5020-6
规格说明书:
DMG5802LFX-7说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1066.4pF @ 15V
功率 - 最大值 980mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 W-DFN5020-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.558729 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥2.558729 ¥7676.19

相关产品