IRFH8324TR2PBF
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- 制造商编号:
- IRFH8324TR2PBF
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 23A(Ta),90A(Tc) 3.6W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
- 规格说明书:
- IRFH8324TR2PBF说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A(Ta),90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.1 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2380 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.6W(Ta),54W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 400 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RJK03M4DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | ¥5.73278 | 类似 |
RQ3E160ADTB | Rohm Semiconductor | ¥4.07000 | 类似 |
CSD17577Q5AT | Texas Instruments | ¥11.52000 | 类似 |
CSD17310Q5A | Texas Instruments | ¥8.06000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 400 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥3.605524 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.30382 | ¥6.30 |
10+ | ¥5.166148 | ¥51.66 |
100+ | ¥4.522214 | ¥452.22 |
400+ | ¥3.605524 | ¥1442.21 |