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STGD4M65DF2

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制造商编号:
STGD4M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 68 W 表面贴装型 DPAK
规格说明书:
STGD4M65DF2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 16 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值 68 W
开关能量 40µJ(开),136µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 15.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/86ns
测试条件 400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 133 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 DPAK
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥5.928699 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.836759 ¥11.84
10+ ¥10.589672 ¥105.90
100+ ¥8.259496 ¥825.95
500+ ¥6.823021 ¥3411.51
1000+ ¥5.928699 ¥5928.70
2500+ ¥5.928699 ¥14821.75

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