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STGW50HF60SD
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGW50HF60SD
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 600V 110A 284W TO247
- 详细描述：
- IGBT - 600 V 110 A 284 W 通孔 TO-247-3
- 规格说明书：
- STGW50HF60SD说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 110 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 130 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 1.45V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值 | 284 W |
| 开关能量 | 250µJ（开），4.2mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 200 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 50ns/220ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 67 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| APT60GT60BRG | Microchip Technology | ¥95.53000 | 类似 |
| APT50GT60BRG | Microchip Technology | ¥53.45000 | 类似 |
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥43.01000 | 类似 |
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥45.890317 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥61.396969 | ￥61.40 |
| 10+ | ￥55.428855 | ￥554.29 |
| 100+ | ￥45.890317 | ￥4589.03 |
