2N7000
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | STripFET™ |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±18V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 43 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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VN10KN3-G | Microchip Technology | ¥4.84000 | 类似 |
BS270 | onsemi | ¥3.84000 | 类似 |
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