DMN2016UTS-13
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- 制造商编号:
- DMN2016UTS-13
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 8.58A 880mW 表面贴装型 8-TSSOP
- 规格说明书:
- DMN2016UTS-13说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.58A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1495pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 880mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥5.77909 | ¥5.78 |
10+ | ¥4.928755 | ¥49.29 |
100+ | ¥3.680266 | ¥368.03 |
500+ | ¥2.891642 | ¥1445.82 |
1000+ | ¥2.23457 | ¥2234.57 |
2500+ | ¥2.037352 | ¥5093.38 |
5000+ | ¥1.905914 | ¥9529.57 |