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DMN2016UTS-13
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- 制造商编号：
- DMN2016UTS-13
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 8.58A 880mW 表面贴装型 8-TSSOP
- 规格说明书：
- DMN2016UTS-13说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.58A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1495pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 880mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
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- 货期
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.77909 | ￥5.78 |
| 10+ | ￥4.928755 | ￥49.29 |
| 100+ | ￥3.680266 | ￥368.03 |
| 500+ | ￥2.891642 | ￥1445.82 |
| 1000+ | ￥2.23457 | ￥2234.57 |
| 2500+ | ￥2.037352 | ￥5093.38 |
| 5000+ | ￥1.905914 | ￥9529.57 |
