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STL35N15F3
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- 制造商编号：
- STL35N15F3
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ III
- 描述：
- MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 150 V 33A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat™（5x6）
- 规格说明书：
- STL35N15F3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ III |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1905 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SI7430DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥24.50000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥18.715159 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.423241 | ￥35.42 |
| 10+ | ￥31.816262 | ￥318.16 |
| 100+ | ￥26.067477 | ￥2606.75 |
| 500+ | ￥22.190814 | ￥11095.41 |
| 1000+ | ￥18.715159 | ￥18715.16 |
