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IXTA1R4N100P

IXYS photo

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制造商编号:
IXTA1R4N100P
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Polar
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 1000 V 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-263AA
规格说明书:
IXTA1R4N100P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Polar
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 450 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 63W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263AA
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 50

价格库存

库存
240
货期
大陆:7~10天
标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥28.359717 ¥28.36
10+ ¥25.508927 ¥255.09
100+ ¥20.902183 ¥2090.22
500+ ¥17.793693 ¥8896.85
1000+ ¥15.006781 ¥15006.78
2000+ ¥14.616972 ¥29233.94

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