SI1029X-T1-GE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/Ik9pz7Cu.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/Ik9pz7Cu.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI1029X-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 305mA,190mA 250mW 表面贴装型 SC-89(SOT-563F)
- 规格说明书:
- SI1029X-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 305mA,190mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.75nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 30pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 250mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SC-89(SOT-563F) |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥4.63923 | ¥4.64 |
10+ | ¥3.974692 | ¥39.75 |
100+ | ¥2.965802 | ¥296.58 |
500+ | ¥2.330239 | ¥1165.12 |
1000+ | ¥1.800637 | ¥1800.64 |
3000+ | ¥1.641763 | ¥4925.29 |
6000+ | ¥1.588805 | ¥9532.83 |