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IRF6619TR1PBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF6619TR1PBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MX
- 规格说明书：
- IRF6619TR1PBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta），150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 57 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5040 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥12.814149 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.888498 | ￥27.89 |
| 10+ | ￥24.998936 | ￥249.99 |
| 100+ | ￥20.482442 | ￥2048.24 |
| 500+ | ￥17.436341 | ￥8718.17 |
| 1000+ | ￥12.814149 | ￥12814.15 |
