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PHD21N06LT,118
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- 制造商编号：
- PHD21N06LT,118
- 制造商：
- NXP恩智浦
- 系列：
- TrenchMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 55 V 19A（Tc） 56W（Tc） DPAK
- 规格说明书：
- PHD21N06LT,118说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | NXP(恩智浦) |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.4 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 56W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AUIRFR024NTRL | Infineon Technologies | ¥14.67000 | 类似 |
| IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | ¥8.14000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
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