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CTLDM8120-M621H TR

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制造商编号:
CTLDM8120-M621H TR
制造商:
Central美国中央
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 950mA(Ta) 1.6W(Ta) TLM621H
规格说明书:
CTLDM8120-M621H TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Central(美国中央)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 950mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 950mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.56 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 200 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TLM621H
封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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