SI3493BDV-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI3493BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 8A(Tc) 2.08W(Ta),2.97W(Tc) 6-TSOP
- 规格说明书:
- SI3493BDV-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 27.5 毫欧 @ 7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43.5 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1805 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.08W(Ta),2.97W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FDC608PZ | onsemi | ¥4.53000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥8.845314 | ¥8.85 |
10+ | ¥7.755607 | ¥77.56 |
100+ | ¥5.949271 | ¥594.93 |
500+ | ¥4.70304 | ¥2351.52 |
1000+ | ¥3.762416 | ¥3762.42 |
3000+ | ¥3.527274 | ¥10581.82 |