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RFD3055LESM9A

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制造商编号:
RFD3055LESM9A
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
RFD3055LESM9A说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 107 毫欧 @ 8A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
IRFR024PBF Vishay Siliconix ¥9.91000 类似

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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.564244 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.119121 ¥8.12
10+ ¥7.123192 ¥71.23
100+ ¥5.461819 ¥546.18
500+ ¥4.317856 ¥2158.93
1000+ ¥3.564282 ¥3564.28
2500+ ¥3.564244 ¥8910.61

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