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STGW20IH125DF

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制造商编号:
STGW20IH125DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 1250V 40A 259W TO-247
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 1250 V 40 A 259 W 通孔 TO-247
规格说明书:
STGW20IH125DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1250 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,15A
功率 - 最大值 259 W
开关能量 410µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 68 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/106ns
测试条件 600V,15A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
标准包装 30

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IXGH20N120A3 IXYS ¥57.52000 类似
IXGH24N120C3 IXYS ¥64.43000 类似
IHW20N135R5XKSA1 Infineon Technologies ¥27.72000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥38.082723 ¥38.08
10+ ¥34.218597 ¥342.19
100+ ¥28.032919 ¥2803.29
500+ ¥23.863881 ¥11931.94
1000+ ¥23.7338 ¥23733.80

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