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RQ3E100BNTB
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- 制造商编号：
- RQ3E100BNTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
- 规格说明书：
- RQ3E100BNTB说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TPH11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥5.76000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥1.058221 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.916575 | ￥3.92 |
| 10+ | ￥3.207861 | ￥32.08 |
| 100+ | ￥2.184703 | ￥218.47 |
| 500+ | ￥1.638521 | ￥819.26 |
| 1000+ | ￥1.228897 | ￥1228.90 |
| 3000+ | ￥1.126469 | ￥3379.41 |
| 6000+ | ￥1.058221 | ￥6349.33 |
