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    PMDT670UPE,115

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    制造商编号：
    PMDT670UPE,115
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 550mA 330mW 表面贴装型 SOT-666
    规格说明书：
    PMDT670UPE,115说明书
    在线客服：
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    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 2 个 P 沟道（双）
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） 20V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 550mA
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 850 毫欧 @ 400mA，4.5V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.14nC @ 4.5V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 87pF @ 10V
    功率 - 最大值 330mW
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 SOT-563，SOT-666
    供应商器件封装 SOT-666
    标准包装 4,000

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    NTZD3152PT1G onsemi ¥3.92000 类似
    DMP2004VK-7 Diodes Incorporated ¥3.84000 类似

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    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    4,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥4.377062 ￥4.38
    10+ ￥3.273678 ￥32.74
    100+ ￥2.037842 ￥203.78
    500+ ￥1.394459 ￥697.23
    1000+ ￥1.072677 ￥1072.68
    2000+ ￥0.965404 ￥1930.81
    4000+ ￥0.965404 ￥3861.62
    8000+ ￥0.911774 ￥7294.19

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