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APTGL90A120T1G

Microchip photo

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制造商编号:
APTGL90A120T1G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 110 A 385 W 通孔 SP1
规格说明书:
APTGL90A120T1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 110 A
功率 - 最大值 385 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.25V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值) 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 4.4 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 SP1
供应商器件封装 SP1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥694.636028 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
14+ ¥694.636028 ¥9724.90

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