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SI1016X-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI1016X-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 485mA,370mA 250mW 表面贴装型 SC-89(SOT-563F)
规格说明书:
SI1016X-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 485mA,370mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 700 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SC-89(SOT-563F)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.575507 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.587987 ¥4.59
10+ ¥3.933982 ¥39.34
100+ ¥2.940912 ¥294.09
500+ ¥2.310754 ¥1155.38
1000+ ¥1.785573 ¥1785.57
3000+ ¥1.628027 ¥4884.08
6000+ ¥1.575507 ¥9453.04

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