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    PMGD780SN,115

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    制造商编号：
    PMGD780SN,115
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 490mA 410mW 表面贴装型 6-TSSOP
    规格说明书：
    PMGD780SN,115说明书
    在线客服：
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    服务：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 2 N-通道（双）
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） 60V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 490mA
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 920 毫欧 @ 300mA，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.05nC @ 10V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 23pF @ 30V
    功率 - 最大值 410mW
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    供应商器件封装 6-TSSOP
    标准包装 3,000

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥0.844588 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥4.016043 ￥4.02
    10+ ￥3.026331 ￥30.26
    100+ ￥1.887789 ￥188.78
    500+ ￥1.291724 ￥645.86
    1000+ ￥0.993616 ￥993.62
    3000+ ￥0.894247 ￥2682.74
    6000+ ￥0.844588 ￥5067.53

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