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STGFW20H65FB

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制造商编号:
STGFW20H65FB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 650V 40A 52W TO3PF
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 52 W 通孔 TO-3PF
规格说明书:
STGFW20H65FB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,20A
功率 - 最大值 52 W
开关能量 77µJ(开),170µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 120 nC
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/139ns
测试条件 400V,20A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装 TO-3PF
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
STGFW20V60F STMicroelectronics ¥20.35000 MFR Recommended

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥26.626117 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥36.194122 ¥36.19
10+ ¥32.493892 ¥324.94
100+ ¥26.626117 ¥2662.61

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