在线客服 
FDS86267P
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDS86267P
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- PowerTrench®
- 描述：
- MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 150 V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-SOIC
- 规格说明书：
- FDS86267P说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 255 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1130 pF @ 75 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.632002 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.64845 | ￥9.65 |
| 10+ | ￥8.594084 | ￥85.94 |
| 100+ | ￥6.696348 | ￥669.63 |
| 500+ | ￥5.531844 | ￥2765.92 |
| 1000+ | ￥4.632002 | ￥4632.00 |
| 2500+ | ￥4.632002 | ￥11580.00 |
