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STGW28IH125DF
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- 制造商编号：
- STGW28IH125DF
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 1250V 60A 375W TO-247
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 1250 V 60 A 375 W 通孔 TO-247
- 规格说明书：
- STGW28IH125DF说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1250 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，25A |
| 功率 - 最大值 | 375 W |
| 开关能量 | 720µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 114 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | -/128ns |
| 测试条件 | 600V，25A，10 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IGW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | ¥43.39000 | 类似 |
| NGTB30N120L2WG | onsemi | ¥64.36000 | 类似 |
| IXDR30N120D1 | IXYS | ¥90.31000 | 类似 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥27.608344 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 600+ | ￥27.608344 | ￥16565.01 |
