APT60GA60JD60
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- 制造商编号:
- APT60GA60JD60
- 制造商:
- Microchip微芯
- 系列:
- POWER MOS 8™
- 描述:
- IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
- 详细描述:
- IGBT 模块 PT 单路 600 V 112 A 356 W 底座安装 ISOTOP®
- 规格说明书:
- APT60GA60JD60说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microchip(微芯) |
系列 | POWER MOS 8™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | PT |
配置 | 单路 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 112 A |
功率 - 最大值 | 356 W |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.5V @ 15V,62A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 275 µA |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 8.01 nF @ 25 V |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 无 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
标准包装 | 1 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥285.899685 | ¥285.90 |
100+ | ¥262.611775 | ¥26261.18 |