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APT60GA60JD60

Microchip photo

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制造商编号:
APT60GA60JD60
制造商:
Microchip微芯
系列:
POWER MOS 8™
描述:
IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
详细描述:
IGBT 模块 PT 单路 600 V 112 A 356 W 底座安装 ISOTOP®
规格说明书:
APT60GA60JD60说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 POWER MOS 8™
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
配置 单路
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 112 A
功率 - 最大值 356 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,62A
电流 - 集电极截止(最大值) 275 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 8.01 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装 ISOTOP®
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥285.899685 ¥285.90
100+ ¥262.611775 ¥26261.18

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