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STV160NF02LT4
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- 制造商编号：
- STV160NF02LT4
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
- 规格说明书：
- STV160NF02LT4说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ II |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4800 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 210W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 标准包装 | 600 |
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- 标准包装
- 600 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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